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下一代存儲技術的希望:用鍺、硅、鉻可以製作反鐵磁半導體

2021-03-18 09:03 前瞻網   

 

下一代存儲技術的希望:用鍺、硅、鉻可以製作反鐵磁半導體

在一項新研究中,密歇根理工大學的物理學家們探索了新材料,在開發新的大容量、小尺寸數據存儲技術的道路上邁出了一步。

研究於2月12日發表在《納米快報》上,標題為“Cr-Doped Ge-Core/Si-Shell Nanowire: An Antiferromagnetic Semiconductor”(鉻摻雜鍺核/硅殼納米線:一種反鐵磁半導體),通訊作者為密歇根理工大學物理系的Ranjit Pati。

研究發現,具有鍺核和硅殼的摻鉻納米線可以製作成反鐵磁半導體。之前研究證明了利用電流和激光可以操縱反鐵磁材料中的單個磁態,在太赫茲頻率——比我們當前數據存儲設備中使用的頻率快得多——下具備自旋動力。

此外,研究揭示了決定反鐵磁性的機制。這種機制被稱為超交換,它控制着電子的自旋和使它們具有反鐵磁性的反平行排列。在納米線中,鍺電子充當着未連接的鉻原子之間的中間人、交換者。

譯/前瞻經濟學人APP資訊組

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責任編輯: 4114RWL

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